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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > FDMC8200

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1190958

Imagem FDMC8200.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC8200

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDMC8200
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDMC8200.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-Power33 (3x3)
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

20 mOhm @ 6A, 10V
Power - Max

700mW, 900mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerWDFN
Outros nomes

FDMC8200TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

39 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 12A 700mW, 900mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8A, 12A

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Envio

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