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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDMC86262P

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5784163

Imagem FDMC86262P.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC86262P

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$0.931

500+

$0.722

1000+

$0.57

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDMC86262P
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 150V 2A POWER33
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDMC86262P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-MLP (3.3x3.3)
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

307 mOhm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.3W (Ta), 40W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

8-PowerWDFN
Outros nomes

FDMC86262PCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

23 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

885pF @ 75V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

150V
Descrição detalhada

P-Channel 150V 2A (Ta), 8.4A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2A (Ta), 8.4A (Tc)

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