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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > FDMS3606S

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Imagem FDMS3606S.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMS3606S

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDMS3606S
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDMS3606S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

Power56
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

8 mOhm @ 13A, 10V
Power - Max

1W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Outros nomes

FDMS3606STR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

39 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1785pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

13A, 27A

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