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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDMS4435BZ

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FDMS4435BZ

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDMS4435BZ
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDMS4435BZ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-PQFN (5x6)
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

20 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Ta), 39W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Outros nomes

FDMS4435BZ-ND
FDMS4435BZTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

39 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

P-Channel 30V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 18A (Tc)

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