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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDPF8D5N10C

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1670561

Imagem FDPF8D5N10C.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDPF8D5N10C

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

1000+

$2.601

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDPF8D5N10C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

FET ENGR DEV-NOT REL
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

FDPF8D5N10C.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 130µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220F-3
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

8.5 mOhm @ 76A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.4W (Ta), 35W (Tc)
Caixa / Gabinete

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante

32 Weeks
Status sem chumbo

Lead free
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2475pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 76A (Tc) 2.4W (Ta), 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

76A (Tc)

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