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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > FDS4935BZ

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Imagem FDS4935BZ.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS4935BZ

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$0.718

500+

$0.557

1000+

$0.439

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDS4935BZ
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDS4935BZ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SO
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

22 mOhm @ 6.9A, 10V
Power - Max

900mW
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

FDS4935BZDKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1360pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6.9A

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