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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDS6679

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Imagem FDS6679.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS6679

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$1.471

500+

$1.144

1000+

$0.948

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDS6679
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDS6679.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SO
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

9 mOhm @ 13A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

FDS6679CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3939pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

P-Channel 30V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

13A (Ta)

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