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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDT461N

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6471011

FDT461N

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDT461N
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.FDT461N.pdf
2.FDT461N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-223-4
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2 Ohm @ 540mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.13W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

74pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 540mA (Ta) 1.13W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

540mA (Ta)

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