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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > FGA30N120FTDTU

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7005866

Imagem FGA30N120FTDTU.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA30N120FTDTU

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450+

$4.662

900+

$4.183

1350+

$3.528

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FGA30N120FTDTU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT 1200V 60A 339W TO3P
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FGA30N120FTDTU.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

2V @ 15V, 30A
Condição de teste

-
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

-
Alternando Energia

-
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-3PN
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

730ns
Power - Max

339W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

44 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
portão de carga

208nC
Descrição detalhada

IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 339W Through Hole TO-3PN
Atual - Collector Pulsada (ICM)

90A
Atual - Collector (Ic) (Max)

60A

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Forma de pagamento

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