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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > FGA6540WDF

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6141722

Imagem FGA6540WDF.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA6540WDF

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$2.885

900+

$2.588

1350+

$2.183

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FGA6540WDF
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT 650V 80A 238W TO-3PN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FGA6540WDF.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

2.3V @ 15V, 40A
Condição de teste

400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

16.8ns/54.4ns
Alternando Energia

1.37mJ (on), 250µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-3PN
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

101ns
Power - Max

238W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
portão de carga

55.5nC
Descrição detalhada

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 238W Through Hole TO-3PN
Atual - Collector Pulsada (ICM)

120A
Atual - Collector (Ic) (Max)

80A

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