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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > FGA60N60UFDTU

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Imagem FGA60N60UFDTU.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA60N60UFDTU

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1350+

$3.544

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FGA60N60UFDTU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT 600V 120A 298W TO3P
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FGA60N60UFDTU.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

2.4V @ 15V, 60A
Condição de teste

400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

23ns/130ns
Alternando Energia

1.81mJ (on), 810µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-3P
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

47ns
Power - Max

298W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

44 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Field Stop
portão de carga

188nC
Descrição detalhada

IGBT Field Stop 600V 120A 298W Through Hole TO-3P
Atual - Collector Pulsada (ICM)

180A
Atual - Collector (Ic) (Max)

120A

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