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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > FGB30N6S2DT

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5207182

Imagem FGB30N6S2DT.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGB30N6S2DT

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FGB30N6S2DT
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT 600V 45A 167W TO263AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FGB30N6S2DT.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

2.5V @ 15V, 12A
Condição de teste

390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

6ns/40ns
Alternando Energia

55µJ (on), 100µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-263AB
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

46ns
Power - Max

167W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

FGB30N6S2DT_NL
FGB30N6S2DT_NL-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
portão de carga

23nC
Descrição detalhada

IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB
Atual - Collector Pulsada (ICM)

108A
Atual - Collector (Ic) (Max)

45A
Número da peça base

FGB30N6

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