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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > FGB40T65SPD-F085

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Imagem FGB40T65SPD-F085.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGB40T65SPD-F085

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10+

$3.423

100+

$2.805

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FGB40T65SPD-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

FGB40T65SPD-F085.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

2.4V @ 15V, 40A
Condição de teste

400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

18ns/35ns
Alternando Energia

970µJ (on), 280µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-263AB (D²PAK)
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

34ns
Power - Max

267W
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

FGB40T65SPD-F085DKR
FGB40T65SPD_F085DKR
FGB40T65SPD_F085DKR-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
portão de carga

36nC
Descrição detalhada

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 267W Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
Atual - Collector Pulsada (ICM)

120A
Atual - Collector (Ic) (Max)

80A

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