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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > FJNS3210RTA

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FJNS3210RTA

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FJNS3210RTA
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FJNS3210RTA.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

40V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-92S
Série

-
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Power - Max

300mW
Embalagem

Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete

TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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