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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > FJNS3214RBU

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4151062

Imagem FJNS3214RBU.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJNS3214RBU

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FJNS3214RBU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FJNS3214RBU.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-92S
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

300mW
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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