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6285637Imagem FJNS4213RBU.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJNS4213RBU

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    FJNS4213RBU
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    FJNS4213RBU.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-92S
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Power - Max
    300mW
  • Embalagem
    Bulk
  • Caixa / Gabinete
    TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequência - Transição
    200MHz
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92S
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    100mA

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJNS4208RBU

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
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FJNS4207RBU

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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