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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQAF47P06

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Imagem FQAF47P06.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQAF47P06

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQAF47P06
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 60V 38A TO-3PF
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FQAF47P06.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-3PF
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

26 mOhm @ 19A, 10V
Dissipação de energia (Max)

100W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

SC-94
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

P-Channel 60V 38A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-3PF
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

38A (Tc)

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