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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQB34N20LTM

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Imagem FQB34N20LTM.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB34N20LTM

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Disponível

1+

$2.79

10+

$2.517

100+

$2.023

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQB34N20LTM
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FQB34N20LTM.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK (TO-263AB)
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

75 mOhm @ 15.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.13W (Ta), 180W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

FQB34N20LTM-ND
FQB34N20LTMCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

8 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

200V
Descrição detalhada

N-Channel 200V 31A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

31A (Tc)

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