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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQI1P50TU

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1451188

Imagem FQI1P50TU.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQI1P50TU

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQI1P50TU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FQI1P50TU.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I2PAK (TO-262)
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

10.5 Ohm @ 750mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.13W (Ta), 63W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

P-Channel 500V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.5A (Tc)

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