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4146630

Imagem FQI2P25TU.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQI2P25TU

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQI2P25TU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FQI2P25TU.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I2PAK (TO-262)
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4 Ohm @ 1.15A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.13W (Ta), 52W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

250V
Descrição detalhada

P-Channel 250V 2.3A (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2.3A (Tc)

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