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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQI6N15TU

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Imagem FQI6N15TU.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQI6N15TU

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQI6N15TU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 150V 6.4A I2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FQI6N15TU.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I2PAK (TO-262)
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

600 mOhm @ 3.2A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.75W (Ta), 63W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

150V
Descrição detalhada

N-Channel 150V 6.4A (Tc) 3.75W (Ta), 63W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6.4A (Tc)

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