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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQN1N50CTA

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FQN1N50CTA

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQN1N50CTA
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FQN1N50CTA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-92-3
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

6 Ohm @ 190mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Outros nomes

FQN1N50CTACT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

195pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

380mA (Tc)

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Forma de pagamento

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