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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQU2N80TU

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2104080

Imagem FQU2N80TU.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQU2N80TU

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQU2N80TU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.FQU2N80TU.pdf
2.FQU2N80TU.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I-PAK
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

800V
Descrição detalhada

N-Channel 800V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.8A (Tc)

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