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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQU30N06LTU

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2236803

Imagem FQU30N06LTU.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQU30N06LTU

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQU30N06LTU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.FQU30N06LTU.pdf
2.FQU30N06LTU.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I-PAK
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

39 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Ta), 44W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1040pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 24A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

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