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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > HUF75321P3

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HUF75321P3

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$0.554

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

HUF75321P3
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.HUF75321P3.pdf
2.HUF75321P3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

UltraFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

34 mOhm @ 35A, 10V
Dissipação de energia (Max)

93W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

55V
Descrição detalhada

N-Channel 55V 35A (Tc) 93W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

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