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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > HUF75617D3S
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HUF75617D3S

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    HUF75617D3S
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    HUF75617D3S.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-252AA
  • Série
    UltraFET™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    90 mOhm @ 16A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    64W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    570pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    39nC @ 20V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    100V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 100V 16A (Tc) 64W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

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Envio
Pagamento
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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrição: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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