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Imagem HUFA75329D3.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HUFA75329D3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

HUFA75329D3
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

HUFA75329D3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-251AA
Série

UltraFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

26 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)

128W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

55V
Descrição detalhada

N-Channel 55V 20A (Tc) 128W (Tc) Through Hole TO-251AA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

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