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Imagem HUFA75332S3ST.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HUFA75332S3ST

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

HUFA75332S3ST
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

HUFA75332S3ST.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK (TO-263AB)
Série

UltraFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

19 mOhm @ 60A, 10V
Dissipação de energia (Max)

145W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

55V
Descrição detalhada

N-Channel 55V 60A (Tc) 145W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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