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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > MMBTA43LT1G

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Imagem MMBTA43LT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBTA43LT1G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

MMBTA43LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 200V 0.05A SOT-23
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

MMBTA43LT1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

200V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23-3 (TO-236)
Série

-
Power - Max

225mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

50MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 50mA 50MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

50mA

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Forma de pagamento

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