MVGSF1N03LT1G

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Especificações

Modelo do Produto

MVGSF1N03LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

MVGSF1N03LT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

100 mOhm @ 1.2A, 10V
Dissipação de energia (Max)

420mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

MVGSF1N03LT1G-ND
MVGSF1N03LT1GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 1.6A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta)

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