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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NDD04N60Z-1G

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2340037

Imagem NDD04N60Z-1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDD04N60Z-1G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NDD04N60Z-1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NDD04N60Z-1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I-PAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2 Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max)

83W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes

NDD04N60Z-1G-ND
NDD04N60Z-1GOS
NDD04N60Z1G
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 4.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4.1A (Tc)

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