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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NDS356AP

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NDS356AP

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$0.239

1000+

$0.185

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NDS356AP
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.NDS356AP.pdf
2.NDS356AP.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SuperSOT-3
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

200 mOhm @ 1.3A, 10V
Dissipação de energia (Max)

500mW (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

NDS356APCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

P-Channel 30V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.1A (Ta)

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