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Imagem NDTL01N60ZT3G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDTL01N60ZT3G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NDTL01N60ZT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NDTL01N60ZT3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-223 (TO-261)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

15 Ohm @ 400mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

2W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

92pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 250mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

250mA (Tc)

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