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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > NGTB30N120IHLWG

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Imagem NGTB30N120IHLWG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB30N120IHLWG

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NGTB30N120IHLWG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT 1200V 30A TO247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NGTB30N120IHLWG.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

2.2V @ 15V, 30A
Condição de teste

600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

-/360ns
Alternando Energia

1mJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247
Série

-
Power - Max

260W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
portão de carga

420nC
Descrição detalhada

IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 260W Through Hole TO-247
Atual - Collector Pulsada (ICM)

320A
Atual - Collector (Ic) (Max)

60A

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Forma de pagamento

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