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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > NGTB30N60L2WG

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286617

Imagem NGTB30N60L2WG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB30N60L2WG

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$3.542

510+

$3.015

1020+

$2.543

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NGTB30N60L2WG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT 600V 30A TO247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NGTB30N60L2WG.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

1.6V @ 15V, 30A
Condição de teste

300V, 30A, 30 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

100ns/390ns
Alternando Energia

310µJ (on), 1.14mJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247-3
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

70ns
Power - Max

225W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Temperatura de operação

175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

4 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
portão de carga

166nC
Descrição detalhada

IGBT 600V 100A 225W Through Hole TO-247-3
Atual - Collector Pulsada (ICM)

60A
Atual - Collector (Ic) (Max)

100A

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Forma de pagamento

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