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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > NGTB40N120IHLWG

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Imagem NGTB40N120IHLWG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB40N120IHLWG

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NGTB40N120IHLWG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT 1200V 40A TO247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NGTB40N120IHLWG.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

2.35V @ 15V, 40A
Condição de teste

600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

-/360ns
Alternando Energia

1.4mJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247
Série

-
Power - Max

260W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Outros nomes

NGTB40N120IHLWG-ND
NGTB40N120IHLWGOS
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
portão de carga

420nC
Descrição detalhada

IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 260W Through Hole TO-247
Atual - Collector Pulsada (ICM)

320A
Atual - Collector (Ic) (Max)

80A

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