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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > NSB4904DW1T1G
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4925500Imagem NSB4904DW1T1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB4904DW1T1G

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
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$0.049
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    NSB4904DW1T1G
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Modelo ECAD
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo transistor
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Power - Max
    250mW
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    40 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequência - Transição
    -
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    100mA
NSB8AT-E3/81

NSB8AT-E3/81

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
NSB8BTHE3/45

NSB8BTHE3/45

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
NSB8ATHE3/81

NSB8ATHE3/81

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
NSB12ANT3G

NSB12ANT3G

Descrição: TVS DIODE 12V 19.9V SMB

Fabricantes: Hamlin / Littelfuse
Disponível
NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
NSB13ANT3G

NSB13ANT3G

Descrição: TVS DIODE 13V 21.5V SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
NSB8BT-E3/81

NSB8BT-E3/81

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
NSB8ATHE3/45

NSB8ATHE3/45

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
NSB8DT-E3/45

NSB8DT-E3/45

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
NSB13211DW6T1G

NSB13211DW6T1G

Descrição: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
NSB8ATHE3_A/P

NSB8ATHE3_A/P

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
NSB1706DMW5T1

NSB1706DMW5T1

Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
NSB8BTHE3_A/P

NSB8BTHE3_A/P

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
NSB8DT-E3/81

NSB8DT-E3/81

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
NSB8DTHE3/45

NSB8DTHE3/45

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
NSB8BTHE3_A/I

NSB8BTHE3_A/I

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
NSB8BTHE3/81

NSB8BTHE3/81

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
NSB8BT-E3/45

NSB8BT-E3/45

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
NSB8AT-E3/45

NSB8AT-E3/45

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
NSB8ATHE3_A/I

NSB8ATHE3_A/I

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível

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