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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > NSS1C201MZ4T3G

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2510046

Imagem NSS1C201MZ4T3G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSS1C201MZ4T3G

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Especificações

Modelo do Produto

NSS1C201MZ4T3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 100V 2A SOT223-4
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NSS1C201MZ4T3G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

180mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-223
Série

-
Power - Max

800mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-261-4, TO-261AA
Outros nomes

NSS1C201MZ4T3G-ND
NSS1C201MZ4T3GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

34 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

100MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 2A 100MHz 800mW Surface Mount SOT-223
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

2A
Número da peça base

NSS1C201

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