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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > NSVB1706DMW5T1G

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Imagem NSVB1706DMW5T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVB1706DMW5T1G

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NSVB1706DMW5T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NSVB1706DMW5T1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

250mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

4 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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