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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > NSVBCP56-10T3G

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7025215

Imagem NSVBCP56-10T3G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVBCP56-10T3G

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12000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NSVBCP56-10T3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NSVBCP56-10T3G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

80V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-223 (TO-261)
Série

-
Power - Max

1.5W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-261-4, TO-261AA
Outros nomes

NSVBCP56-10T3G-ND
NSVBCP56-10T3GOSTR
Temperatura de operação

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

43 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

130MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 130MHz 1.5W Surface Mount SOT-223 (TO-261)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

1A

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