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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > NSVEMX1DXV6T1G

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Imagem NSVEMX1DXV6T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVEMX1DXV6T1G

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Disponível

4000+

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Especificações

Modelo do Produto

NSVEMX1DXV6T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NSVEMX1DXV6T1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

2 NPN (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-563
Série

-
Power - Max

500mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

5 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

180MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 100mA 180MHz 500mW Surface Mount SOT-563
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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