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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTB082N65S3F

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1115259

Imagem NTB082N65S3F.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTB082N65S3F

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Especificações

Modelo do Produto

NTB082N65S3F
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

NTB082N65S3F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK (TO-263)
Série

SuperFET® III
RDS ON (Max) @ Id, VGS

82 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)

313W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

NTB082N65S3FOSCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo

Lead free
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3410pF @ 400V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 40A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

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