NTB13N10G

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Especificações

Modelo do Produto

NTB13N10G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTB13N10G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D2PAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

165 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

64.7W (Ta)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 13A (Ta) 64.7W (Ta) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

13A (Ta)

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