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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTB23N03RG

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3054301

Imagem NTB23N03RG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTB23N03RG

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTB23N03RG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTB23N03RG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D2PAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

45 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max)

37.5W (Tj)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

3.76nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

N-Channel 25V 23A (Ta) 37.5W (Tj) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

23A (Ta)

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