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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTB27N06LT4

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Imagem NTB27N06LT4.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTB27N06LT4

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTB27N06LT4
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

NTB27N06LT4.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D2PAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

48 mOhm @ 13.5A, 5V
Dissipação de energia (Max)

88.2W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

NTB27N06LT4OS
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

990pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 27A (Ta) 88.2W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

27A (Ta)

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