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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTD3055L170

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Imagem NTD3055L170.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD3055L170

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTD3055L170
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

NTD3055L170.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

170 mOhm @ 4.5A, 5V
Dissipação de energia (Max)

1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

275pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Surface Mount DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

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