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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTD3813N-1G

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Imagem NTD3813N-1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD3813N-1G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTD3813N-1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTD3813N-1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I-PAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

8.75 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

963pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

12.8nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

16V
Descrição detalhada

N-Channel 16V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9.6A (Ta), 51A (Tc)

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