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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTD4856N-35G

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Imagem NTD4856N-35G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD4856N-35G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTD4856N-35G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTD4856N-35G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I-PAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.7 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.33W (Ta), 60W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2241pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

N-Channel 25V 13.3A (Ta), 89A (Tc) 1.33W (Ta), 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

13.3A (Ta), 89A (Tc)

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