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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTD4857NT4G

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Imagem NTD4857NT4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD4857NT4G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTD4857NT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTD4857NT4G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

5.7 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1960pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

N-Channel 25V 12A (Ta), 78A (Tc) 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

12A (Ta), 78A (Tc)

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