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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > NTJD2152PT4G

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2031835

Imagem NTJD2152PT4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJD2152PT4G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTJD2152PT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTJD2152PT4G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-88/SC70-6/SOT-363
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

300 mOhm @ 570mA, 4.5V
Power - Max

270mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 8V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

8V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

775mA
Número da peça base

NTJD2152P

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